DRAM价格创历史新高！存储涨价超预期，这一细分赛道迎“戴维斯双击”！

近期，全球存储市场价格上行态势持续强化。

据集邦咨询旗下DRAMeXchange最新数据，2026年10月通用型DRAM产品（DDR48Gb1Gx8）平均合约价格达到27.5美元，环比上涨5.77%，再度刷新2016年6月统计以来的历史新高，相较统计初期的2.9美元累计涨幅已达约9.5倍。

与此同时，NAND闪存市场呈现结构性分化，SLC产品受益于工业、汽车等领域需求维持涨势，MLC产品则受消费端需求拖累走势趋缓。在AI算力需求持续释放、全球存储大厂产能结构性调整的双重驱动下，本轮存储行业景气周期的深度与持续性均超出市场预期，A股存储产业链各环节正迎来业绩与估值的双重修复机遇。

01 ｜  DRAM 持续冲高，NAND 结构性分化

（一）DRAM：合约价连创新高，四季度涨势明确

自 2025 年下半年启动上涨行情以来，DRAM 价格始终保持单边上行态势，且涨势并未因消费终端需求低迷而停歇。

集邦咨询数据显示，10 月 PC 通用型 DRAM 单月环比涨幅达 5.77%，延续了今年以来的逐月上涨趋势。从全年维度看，本轮涨价的累计幅度已远超市场此前预期，核心品类价格较周期底部实现数倍增长。

对于四季度走势，集邦咨询预测 PC DRAM 合约价将环比上涨 13%-18%，尽管在议价阶段部分厂商提出的 15%-20% 涨价方案遭到下游客户抵触，短期大单成交节奏有所放缓，但供给短缺的核心格局并未改变，11 月合约价格基准仍将较 10 月小幅走高。

从供给结构看，本轮 DRAM 涨价并非全品类普涨，而是呈现显著的结构性特征：服务器 DRAM、HBM 等高附加值产品需求旺盛、产能优先保障，而 PC 端通用型 DRAM 产能被持续压缩，机构预计韩国 DRAM 厂商 2027 年的 PC DRAM 产量将较今年下滑 20% 以上，部分细分品类减幅甚至可能超过 40%。

（二）NAND 闪存：双轨运行，品类分化加剧

与 DRAM 全线上涨不同，NAND 闪存市场呈现明显的分化走势。一方面，SLC NAND 受汽车电子、工业控制、低轨卫星等领域需求拉动，10 月价格环比上涨约 5%-10%，其中 4Gb 及以上高容量产品涨幅达到 9.0%-9.9%，高可靠性、高耐久度的特性使其在专业领域需求持续坚挺。

企业级 SSD 则受益于全球云服务商追加采购，四季度合约价预计环比上涨 23%-28%，成为 NAND 市场增长的核心动力。

另一方面，消费级 MLC 闪存受 PC、智能手机终端需求疲软影响，价格涨势明显收窄，部分主流消费级产品价格进入高位震荡阶段。整体来看，NAND 市场已形成 "企业级 + 工业级领涨、消费级跟随" 的双轨发展格局，产品结构优化成为厂商盈利提升的核心路径。

02 ｜  供给收缩与 AI 需求形成共振

本轮存储行业景气周期并非传统的供需错配周期，而是供给端结构性调整与需求端 AI 产业爆发共同作用的结果，其持续性与成长属性均显著强于过往周期。

（一）供给端：产能向高附加值倾斜，通用型存储供给持续收紧

全球存储大厂的产能策略转向是本轮涨价的核心供给侧动因。三星、SK 海力士、美光等头部厂商纷纷调整产能结构，将先进制程产能优先投向服务器 DRAM、HBM、企业级 SSD 等 AI 相关高附加值产品，主动压缩 PC、消费电子等通用型存储的产能占比。

这种结构性产能转移，使得通用型存储市场的供给规模持续收缩，即便终端需求并未出现爆发式增长，也足以形成显著的供需缺口。

与传统周期中全行业被动减产不同，本轮供给收缩是厂商基于盈利最大化的主动选择。AI 存储产品的毛利率远高于消费级产品，且需求增长确定性更强，厂商通过产能倾斜实现整体盈利水平提升，这也决定了供给收缩的趋势具备较强的持续性，不会因短期价格上涨而快速逆转。

（二）需求端：AI 成为核心增长引擎，多场景需求形成支撑

AI 产业的快速发展正在重构存储需求结构，成为本轮景气周期的核心增长引擎。在数据中心端，随着大模型从训练阶段向推理阶段演进，Agentic AI 等新兴应用场景持续拉动通用服务器的内存与存储需求，云服务商与 CSP 厂商持续追加企业级 SSD 与服务器 DRAM 采购，成为存储需求增长的核心支柱。

据测算，单台 AI 服务器的 DRAM 与 NAND 配置容量是传统服务器的数倍，算力集群的规模化建设直接带动存储位元需求高速增长。

在端侧市场，AI PC、AI 智能手机的渗透率持续提升，单机存储容量不断升级，抵消了终端出货量增长平缓的影响。尽管全球 PC 整体需求仍处于低迷状态，但 AI PC 带来的存储容量升级趋势明确，单机 DRAM 与 NAND 容量的提升为行业带来持续的位元需求增量。

此外，汽车电子、工业控制、低轨卫星等利基市场的稳定增长，也为 SLC NAND、SRAM 等特色存储产品提供了坚实的需求支撑。

（三）供需格局：紧平衡态势延续，价格支撑逻辑坚实

从供需匹配关系看，当前存储市场的紧平衡格局具备较强的延续性。供给端，全球大厂产能向高端产品倾斜的趋势短期不会改变，通用型存储产能扩张空间有限；需求端，AI 相关需求持续释放，叠加下游客户出于对未来供给紧张的预期提前备货，进一步强化了供需缺口。

即便消费终端需求偏弱，也难以扭转整体供需偏紧的格局，这为存储产品价格维持高位提供了坚实支撑。

03 ｜ 存储产业链投资机会全梳理

（一）存储芯片原厂：利基存储率先兑现业绩，国产主线长期成长

存储芯片原厂是行业景气度上行的核心受益环节，其中利基存储厂商业绩弹性率先释放，本土主流存储原厂则承载着国产替代的长期成长价值。

▶ 利基存储厂商

• 北京君正：东吴证券、中金证券重点覆盖标的，公司拥有 DRAM、SRAM、Flash 全产品线布局，车载、工业领域客户资源深厚。2026 年前三季度公司营收同比增长 106.66%，归母净利润同比增长 922.95%，其中 DRAM 业务受益于行业供给紧张、价格持续上涨，AI 服务器领域的 SRAM 需求也实现快速增长，产品结构持续优化。

• 兆易创新：华福证券、东吴证券覆盖标的，国内 NOR Flash 龙头企业，同时布局利基 DRAM 业务。公司 NOR Flash 产品在工业、汽车领域需求稳健，DRAM 业务充分受益行业涨价红利，随着高附加值产品占比提升，盈利能力持续改善。

• 东芯股份：东吴证券重点提及的 SLC NAND 核心标的，公司 1xnm 制程 SLC NAND 持续量产，擦写寿命与可靠性达到行业主流水平。

• 普冉股份：聚焦消费级 NOR Flash 与 NAND 产品，下游覆盖消费电子、物联网等领域，行业景气度回升带动公司营收与毛利率双重修复。

▶ 本土主流存储原厂

• 长鑫科技：华福证券、中金证券均重点推荐的国产 DRAM 龙头，也是国内唯一实现 12 英寸 DRAM 规模化量产的企业。产能持续扩张与技术迭代加速推动公司业绩高速增长，同时将带动上游设备、材料产业链的国产化进程。

• 长江存储：国内 3D NAND 自主可控的核心力量，堆叠层数技术持续突破，扩产进程不断加速，是国内 NAND 闪存产业升级的核心载体，将为产业链带来长期增量空间。

（二）存储模组环节：价格弹性最直接，业绩兑现速度快

存储模组厂商直接对接上游颗粒与下游终端，是存储价格上涨的直接受益环节，库存增值与产品售价提升共同推动业绩快速释放，同时高端产品布局打开长期成长空间。

• 江波龙：中金证券、华福证券覆盖标的，公司拥有消费级、工业级、企业级全系列存储模组产品，企业级 SSD 业务快速增长，海外市场布局完善，充分受益全球存储涨价周期与 AI 存储需求增长。

• 佰维存储：东吴证券、中金证券提及标的，公司积极布局 AI 端侧存储与企业级存储产品，推出适配 AI PC、AI 服务器的高容量存储方案。2026 年以来公司充分受益产品价格上涨，盈利能力持续修复，中长期将受益于 AI 带来的存储容量升级趋势。

• 德明利：聚焦存储主控与模组一体化布局，消费级存储产品根基深厚，行业量价齐升背景下业绩弹性显著。

• 香农芯创：国内存储分销龙头，同时布局自研存储品牌 "海普存储"。2026 年前三季度公司营收同比增长 303.14%，归母净利润同比增长 1386.13%，充分受益存储行业量价齐升的行业红利。

（三）存储配套芯片：接口与主控受益量价齐升

存储配套芯片随存储产品出货量增长与规格升级同步受益，是产业链中具备技术壁垒的核心环节。

• 澜起科技：中金证券重点推荐的内存接口芯片全球龙头，服务器 DRAM 规格升级与出货量增长直接带动公司产品需求，AI 服务器内存容量提升进一步拉动接口芯片价值量，行业景气度上行叠加产品升级推动公司业绩持续增长。

• 国科微：国内存储主控芯片核心厂商，SSD 主控芯片市占率持续提升，深度受益国内存储产业链自主可控趋势与行业需求增长。

（四）设备与材料：国产存储扩产核心受益，自主可控逻辑强化

国内存储原厂产能扩张持续推进，叠加半导体设备材料国产化率不断提升，上游环节将长期受益于国产替代与行业扩产双重红利。

• 设备环节：北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科均为中金证券、华福证券重点推荐标的，覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗等存储产线核心制程，是国内存储产线扩产的核心设备供应商，将持续受益于国内存储产能扩张与设备国产化率提升。

• 材料环节：江丰电子（溅射靶材）、鼎龙股份（CMP 抛光垫）、神工股份（硅片）等企业，随着国内存储产线产能持续释放，材料国产化导入加速，市场空间与盈利水平将持续提升。

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