大反攻！美股芯片存储股盘前猛拉，闪迪大涨超12%，得州数据中心恐慌降温

11月6日，美股芯片股盘前涨势扩大，英伟达（NVDA.US）涨超5%，AMD涨超8%、闪迪（SNDK.US）涨超12%。

消息面上，知名科技投资人、Atreides Management创始人加文·贝克周四在社交平台上发帖称，得州州长当选人吉娜·伊诺霍萨已经明确表示，所有目前已获许可的得州数据中心都将被允许完成建设；他认为，这基本覆盖了2027年全部、并很可能覆盖到2028年的大部分产能。

此外，市场分析机构Counterpint最新报告显示，随着新一代HBM产品推出及价格持续上涨，主要存储供应商有望在第四季度创下新的营收纪录。2026年第三季度，三星以38%的市场份额位居DRAM市场首位。

摩根大通（JPM.US）研报也指出，主要存储股较2026年高点平均回撤约45%，费城半导体指数较近期高点回撤约29%。该行认为，尽管市场担忧AI融资、电力瓶颈及投资回报，但DRAM和NAND供需仍然紧张，长期供货协议不断扩大覆盖范围，行业基本面有望保持强劲至2028年。未来六个月，存储企业盈利预测遭到下调的可能性较低。