报告称翻新内存手机渗透率明年近一成

市场研究机构 TrendForce 发布报告称，移动 DRAM 合约价持续上涨正推动手机品牌越来越多地采用成本更低的翻新内存（Reballed Memory），尤其集中在入门级与低价位机型。预计翻新内存 2026 年在智能手机市场的渗透率约为 3% 至 4%，2027 年可能升至 7% 至 9%。

当前市场上流通的翻新内存以 LPDDR4X 4GB 为主，主要进入售价 1299 元以下的 4G 手机。这一 segment 的消费者对价格高度敏感，引入翻新内存可缓解物料成本上涨压力，同时保持零售价竞争力。

报告指出，2027 年一季度 DRAM 涨价预计将进一步加速，手机厂商成本结构承压，低规格器件与翻新内存的使用可能逐步扩展至更高价位段，成为品牌应对长期高内存价格的关键降本策略。

不过即便 2027 年用量扩大，翻新内存在智能手机全年 LPDDR 消耗量中的占比预计仍然有限，不足以显著扭转 DRAM 合约价的上涨趋势。该机构同时提醒，翻新器件的采购复杂度与品质管控风险是厂商需要权衡的代价。

编辑：周艺